三星电子创新抢先，打造全新10纳米第七代DRAM测试线，全力争夺市场领先地位

引领未来科技潮流，三星电子再度突破，开创全球DRAM市场新纪元

智慧科技

　　 12月19日消息，韩媒BusinessKorea昨日报道，三星电子正在积极投资建设10纳米级第七代（1d）DRAM测试线，以期提高生产良率，进一步拉开与竞争对手之间的技术差距，并力争在明年重新夺回DRAM市场的领导地位。 从这个消息可以看出，三星电子对于未来半导体市场的竞争态势有着非常清晰的认识和战略规划。通过持续加大在先进制程技术上的投入，三星不仅希望巩固其在高端存储芯片领域的优势地位，而且也意在挑战目前市场上的主导者，如SK海力士和美光科技等。这种积极的投资策略体现了三星对技术创新的高度重视，也预示着未来的市场竞争将会更加激烈。此外，这也反映出全球半导体行业正在经历一轮技术升级的浪潮，各大厂商都在努力抢占技术高地，以求在未来市场中占据更有利的位置。

　　 据消息报道，三星已在本年度第四季度启动了在平泽第二工厂（P2）建设10纳米级第七代DRAM测试线的计划，这条生产线也被称为“onepath”线。

　　 该测试线预计将于 2025 年第 1 季度全面建成，用于测试新产品的量产潜力，并提升良率。尽管平泽 10 纳米级第七代 DRAM 工厂的确切规模尚未确定，但通常安装测试线每月可处理约 10000 片晶圆。

　　 据该媒体报道，三星正同时推进第七代DRAM测试线的建设和第六代DRAM的量产准备工作。公司计划于2025年初在平泽第四工厂（P4）引入设备，启动10纳米级第六代DRAM的生产，并争取在明年5月获得内部量产批准（PRA）。

　　 为了确保1cDRAM的顺利量产，三星计划从华城工厂调派DRAM相关技术人员至平泽工厂支持生产。

　　 三星此次的动作被视为一项积极的投资策略。在经历了HBM市场份额被SK海力士超越，以及10纳米级第六代DRAM开发速度落后的双重打击之后，三星正在全力反击，希望通过提前布局下一代产品，在明年重新占据市场的主导地位。 从当前局势来看，三星的这一举动不仅显示了其对未来的长远规划，也反映出其在面对竞争对手的压力下，仍具备强大的调整能力和战略眼光。通过加快新技术的研发和应用，三星有望在未来几年内巩固其在全球半导体行业的领先地位。这不仅是对自身技术实力的一次重大挑战，也是对整个行业格局的一次重新洗牌。三星的这一策略，或将激励其他企业加大研发投入，推动整个行业的技术创新和发展。