美光革新DDR5内存：首度采用1γnm工艺，单条128GB@9200MHz轻松升级！

颠覆未来！美光首发1γnm DDR5内存，128GB大容量狂飙至9200MHz，轻松实现疾速升级！

　　 2月26日更新，美光透露，采用最新的1γ纳米工艺制造的DDR5 DRAM内存芯片已经开始生产。这些芯片在性能、能效和密度等方面都有显著提升。

　　 DRAM内存行业在技术节点上一直采用独特的迭代命名方式，如1a、1b、1c、1α、1β、1γ等，这些代号代表了不断的技术进步。据我了解，1a节点大约相当于20纳米工艺水平，而1γ节点则接近于10纳米级别。 这种特殊的命名方法不仅避免了具体数值的复杂性，也使得不同公司之间的技术竞争显得更为模糊。不过，这并不意味着我们可以忽视这些技术节点的实际意义。每一代新的节点都代表着存储密度的显著提升以及功耗的降低，这对整个半导体行业乃至电子设备的发展都有着深远的影响。 这种迭代方式可能让外界对实际技术进展的速度感到困惑，但从另一个角度来看，这也反映了DRAM产业对于技术细节保密的态度。无论如何，持续关注这些技术节点的变化将有助于我们更好地理解半导体行业的动态和发展趋势。

　　 这是美光内存第一次用上EUV极紫外光刻工艺，而三星、SK海力士早就用了，不过美光这次同时还引入了下一代HKMG金属栅极技术，预计全新的BEOL后端工序。

　　 美光公司在其先进芯片制造过程中确实采用了极紫外光刻（EUV）技术，但具体应用了多少EUV光刻层并未公开。从行业角度来看，这很可能意味着美光目前仅在部分关键层上使用了EUV技术，而不是全面覆盖。这是因为如果在更多的层面上应用EUV，可能会导致需要采用多重曝光技术，从而显著增加生产时间和成本。 这种策略反映了半导体行业在追求更先进制程时所面临的复杂权衡。虽然EUV可以提高芯片的性能和密度，但其高昂的成本和复杂的工艺限制了它的广泛应用。因此，美光的选择可能是为了在技术进步与成本控制之间找到一个平衡点。

　　 美光的1γDDR5单颗容量为16Gb（2GB），能够轻松组合成单条容量128GB的企业级产品。据称，其容量密度比1β代又提高了30%。实际上，每一代技术升级通过工艺改进都能实现约30%的密度提升。

　　 它只需要1.1V的标准电压，就能达到9200MHz(严格来说是9200MT/s)的超高频率，而目前市面上常见的高频内存往往得1.35V甚至1.45V的高电压。

　　 更低的电压不仅更加安全，还能减少能耗，据说比1β工艺最多可以降低20%的功耗。

　　 目前，美光的1γDDR5内存目前仅在日本的工厂进行生产，但公司计划逐步提升其产能。据我了解，这类产品预计在今年年中开始上市。这一举措不仅体现了美光对日本制造工艺和技术水平的高度信任，也显示出他们对高端存储产品市场的重视。随着技术的不断进步和市场需求的增长，相信美光能够顺利实现产能扩张，并及时满足市场的需求。此外，这也可能预示着未来更多高端产品的生产重心可能会进一步向日本转移。

　　 未来，美光在台湾的工厂也将采用EVU技术，并运用1γ工艺生产GDDR7显存及LPDDR5X高频内存（最高支持9600MHz）。