镓仁半导体领先发布全球首颗第四代氧化镓 8 英寸超级单晶

开创新时代！全球首颗第四代氧化镓 8 英寸超级单晶正式问世

　　 3月6日消息，杭州镓仁半导体GarenSemi昨日宣布推出全球首颗第四代半导体氧化镓8英寸晶圆，该公司也因此成为国际上首家掌握8英寸氧化镓单晶生长技术的企业。这一突破不仅标志着中国在第四代半导体材料领域取得了重大进展，也为未来半导体行业的发展开辟了新的道路。随着技术的不断成熟，相信氧化镓晶圆将在电力电子、高频通讯等领域展现出巨大的应用潜力。

　　 镓仁半导体此前在2022年、2023年和2024年分别成功生长出2英寸、4英寸和6英寸的氧化镓单晶。此次的8英寸单晶不仅拥有更高的晶圆面积利用率，还与现有的硅基晶圆厂的8英寸生产线兼容，这将大大加快氧化镓的产业化进程。

　　 获悉，氧化镓，特别是β-Ga2O3，因其4.85eV的宽禁带而备受瞩目，这一特性使其在性能上超越了碳化硅和氮化镓。此外，它还拥有出色的热稳定性和化学稳定性，以及更高的击穿电场强度，这使得它成为第四代半导体材料中的佼佼者。 从当前的技术发展趋势来看，氧化镓材料的应用前景十分广阔。其独特的物理和化学性质不仅能够推动电子器件向更高效率、更小体积发展，还能进一步降低能耗，提高系统的整体性能。特别是在电力电子领域，氧化镓有望成为新一代高效能器件的关键材料，为绿色能源转换和智能电网技术的发展提供强有力的支持。

　　 基于氧化镓的功率器件能够实现更低的电阻和更高的转换效率，有望推动新能源汽车平台电压达到1200V；此外，氧化镓材料具有260nm的紫外截止边，在紫外波段其透光率受载流子浓度的影响较小，适合用于制造深紫外波段的光电器件。